1、自蔓延高温合成高纯超细氮化铝粉末的制备方法
2、反应烧结制备氮化铝及其复合陶瓷的方法
3、一种氮化物 氧化铝基复合陶瓷材料及其制备工艺
4、低含量氮化铝陶瓷粉末制备方法
5、由天然矿物原料制备铝镁氧陶瓷复合耐火材料
6、高韧性、高硬度的碳化硅陶瓷液相烧结法
7、水基流延法制备高热导率氮化铝陶瓷基片的方法
8、重烧结氮化硅陶瓷制备方法
9、放电等离子烧结法制备氮化铝透明陶瓷
10、高热导率氮化铝陶瓷
11、一种用流延法制造高热导率集成电路氮化铝陶瓷基片的方法
12、高热导率氮化铝陶瓷的制造方法
13、铜铬-氮化铝复合材料的制备方法
14、一种硼酸镁晶须和陶瓷颗粒增强铝基复合材料的制动器衬片及制备工艺
15、高热导氮化铝陶瓷的制备方法
16、一种低温烧结制备氮化铝陶瓷的方法
17、氮化铝粉体的反应合成方法
18、陶瓷复合材料及制法
19、利用反应诱导凝胶化制备陶瓷素坯的方法
20、透明氮化铝陶瓷的制备方法
21、用于透光陶瓷的γ－氧氮化铝粉末的制备方法
22、用于氮化铝衬底的无铅厚膜导体浆料组合物
23、通过碳热还原制氮化硅和氮化铝粉末的方法
24、制备钠米氮化铝陶瓷粉体的方法
25、具有光滑镀层的金属化陶瓷基片及其制造方法
26、包埋钛或钛合金金属团蔟的金属陶瓷薄膜
27、半导体生产系统用的陶瓷加热器
28、陶瓷加热器
29、半导体生产系统用的陶瓷加热器 3
30、新颖的陶瓷点火器及其使用方法
31、半导体生产系统用的陶瓷加热器 2
32、具有更高抗氧化性的新颖陶瓷点火器及其使用方法
33、制造氮化铝陶瓷的低温烧结方案
34、一种自增强氮化硅陶瓷体及其制备方法
35、用于陶瓷生产中的交联聚酰胺粘结剂
36、准氮化铝和准氮化镓基生长衬底及在氮化铝陶瓷片上生长的方法
37、一种制备氮化铝陶瓷基片的方法
38、氮基陶瓷材料
39、陶瓷接合体、基片支承构造体及基片处理装置
40、一种断裂韧性高的自增强氮化硅陶瓷及其制备方法
41、含碳的氮化铝烧结体以及用于半导体制造 检测设备的陶瓷基材

1、海门建成氮化硅陶瓷基地
2、高压氮气中自蔓延燃烧合成氮化铝的显微结构研究
3、影响AIN陶瓷热导率因素的研究
4、陶瓷材料在砂水泥浆中浸蚀的研究
5、氮化铝陶瓷的研制及应用
6、氮化铝陶瓷的制备及其在复合材料中的应用研究
7、氮化铝陶瓷
8、铜_氮化铝陶瓷键合机理的探讨
9、添加Y_2O_3的AlN陶瓷材料的烧结过程
10、浸渗反应技术制备AlN基复合材料
11、氮化铝陶瓷材料的开发和应用
12、氮化铝陶瓷与铜界面热阻回归分析仿真模型
13、氮化铝粉末的制备方法与机理
14、透明氮化铝陶瓷的制备
15、两面顶技术低温超高压烧结AlN陶瓷的研究
16、AlN陶瓷粉末制备方法特点和进展
17、功率电子器件用AlN陶瓷基板的研制
18、透明氮化铝陶瓷研究的新进展
19、氮化铝在1600℃的低温烧成技术
20、氮化铝高温下的挥发及其晶须生长
21、放电等离子烧结AlN陶瓷
22、自蔓延高温合成技术的发展与应用
23、氮化铝AIN粉末的合成与高热导率AIN基片的研制
24、氮化铝和莫来石陶瓷衬底的SIMS和XRD研究
25、高热导率陶瓷材料的进展
26、放电等离子烧结SPS技术烧结致密AlN陶瓷
27、AlN陶瓷表面钛金属化沉积的动力学研究
28、应用XRD方法研究AlN粉体的冲击波改性
29、氮化铝陶瓷的研究与应用
30、AlN陶瓷基板在空气中的热氧化行为探讨
31、注射成形AlN-Y_2O_3陶瓷的结构与性能
32、放电等离子烧结氮化铝透明陶瓷的研究
33、TiN、AlN弥散相强韧化Al_2O_3基复合材料的工艺研究
34、AlN陶瓷研究新进展
35、以氮化铝陶瓷为基板的倒扣封装工艺研究
36、氮化铝陶瓷覆铜基板的研制
37、氮化物、碳化物及其陶瓷超细粉末
38、AlN陶瓷的介电性能
39、氮化铝的室温热导率
40、氮化铝陶瓷低温烧结过程中的液相迁移与表层晶粒生长
41、用于氮化铝陶瓷基片的电子浆料
42、消除AlN陶瓷基片色斑
43、氮化铝陶瓷基片的传热机理研究
44、氮化铝陶瓷及其用途
45、氮化铝陶瓷低温热导率的实验研究
46、无包封燃烧合成气相热等静压AlN_TiB_2陶瓷研究
47、Li_2O对低温烧结AlN陶瓷热导率的影响
48、稀土掺杂注射成形AlN陶瓷的结构与性能
49、氮化铝对 Sialon 陶瓷性能的影响
50、Y_2O_3对氮化铝陶瓷燃烧合成致密化及组织性能的影响
51、以固态氮化剂燃烧合成AlN_SiC固溶体的研究
52、SiC-Al_2O_3基复相陶瓷的N_2-HIP研究
53、氮化铝和氮化铝陶瓷
54、低温共烧氮化铝复合材料基板的银金属化研究
55、氮化铝陶瓷表面化学镀铜
56、陶瓷刀具在车削高硬冷轧辊中的应用
57、AlN基片氧化及金属化
58、低温烧结AlN陶瓷的微结构和热导率
59、氮化铝陶瓷的热导率研究进展
60、AlN_BN复合陶瓷的介电性能
61、氮化铝陶瓷直接覆铜技术
62、氮化铝陶瓷化学镀铜工艺研究
63、添加CaF_2_YF_3的AlN陶瓷的热导率
64、高导热性能的氮化铝陶瓷的研究
65、AlN陶瓷封装的研究现状
66、冲击波对AlN粉体性能及低温烧结特性的影响
67、影响AlN陶瓷热导率的本征氧缺陷
68、SiC晶须－氮化铝分散工艺的研究
69、用作基片材料的氮化铝陶瓷的现状与展望
70、AlN陶瓷表面钛金属化反应机理及微观结构
71、高热导率氮化铝陶瓷的制备和研究
72、添加剂对AlN陶瓷高温氧化行为的影响
73、中外反应烧结制备陶瓷材料研究进展
74、氮化铝陶瓷基片热导率的分析英文
75、自蔓延燃烧合成AlN粉的性能
76、氮化铝陶瓷研究和发展
77、AIN粉末制备技术概述
78、高导热AlN陶瓷研究进展
79、氮化铝陶瓷的微波烧结研究
80、SiC－AlN－Y_2O_3复相陶瓷的氧化行为
81、以氮化铝陶瓷为基板的倒装式封装工艺研究
82、氮化铝陶瓷材料的烧结机理
83、利用硅烷改善氮化铝粉末抗水解性的研究
84、AlN陶瓷低温烧结中的液相迁移
85、氮化物系陶瓷
86、氮化铝陶瓷基片热导率的理论分析
87、银基多层氮化铝陶瓷基板低温共烧的工艺研究
88、关于AlN陶瓷导热性的讨论
89、关于氮化铝陶瓷导热性的讨论
90、功率电路基片首推氮化铝陶瓷
91、氮化铝AlN陶瓷的特性、制备及应用
92、AIN的性能及其粉体与薄膜的制备
93、氮化铝瓷金属化方法研究进展
94、AlN粉末的制备方法
95、氧氮化铝陶瓷的合成与应用
96、氮化铝陶瓷基板的开发研究
97、AlN陶瓷的晶界缺陷
98、反应烧结制备AlN－Al_2O_3复合陶瓷的机理研究
99、Al_2O_3－AlN－TiC复合陶瓷的制备与微观结构
100、SiC－AlN－Y_2O_3复相陶瓷的制备与性能
101、A1N陶瓷中的晶格缺陷
102、AlN陶瓷的空心阴极等离子烧结工艺研究
103、燃烧合成AlN—SiC固溶体陶瓷
104、流延法制备低温烧结的高热导率AlN基片
105、AlN陶瓷中的晶界第二相
106、氮化铝瓷烧结方法进展
107、粗化对氮化铝陶瓷表面镀铜层附着力的影响
108、无压烧结SiC－AlN复相陶瓷的显微结构
109、高热导率氮化铝陶瓷制备技术进展
110、氮化铝陶瓷材料
111、AlN陶瓷的高温氧化研究
112、高性能SiC—AlN复相陶瓷
113、AIN陶瓷粉末制备方法综述
114、反应热压法制备TiB_2AlN复合陶瓷
115、MCM用氮化铝共烧多层陶瓷基板的研究
116、反应合成AlN／TiB_2复相陶瓷及残余应力分析
117、放电等离子烧结氮化铝透明陶瓷
118、AIN在SiC－AIN－Y_2O_3复相陶瓷中的作用
119、复合助剂对氮化铝陶瓷低温烧结的影响
120、AlN陶瓷在空气中高温下的氧化行为
121、溶胶_凝胶工艺制备氮化铝陶瓷超细粉末
122、热处理对A1N陶瓷晶界相的影响
123、氮化铝陶瓷表面钛金属化的研究
124、AlN_Y_2O_3陶瓷注射成形研究
125、利用热歧化反应进行氮化铝陶瓷表面钛金属化工艺及正交实验研究
126、氮化铝陶瓷材料制备工艺与应用
127、添加Y_2O_3的AlN陶瓷注射成形研究
128、放电等离子烧结技术制备透明AlN陶瓷
129、影响氮化铝陶瓷热导率的因素及改善途径
130、CaF_2助剂放电等离子烧结透明AlN陶瓷的微观结构和光学性能
131、AlN陶瓷的烧结致密化与导热性能
132、流延法制备AlN陶瓷基板的研究
133、CaO_Y_2O_3添加剂对AlN陶瓷显微结构及性能的影响
134、氮化铝基板与 Cu和Al的接合及其表面改质效果
135、射频溅射薄膜改善氮化铝陶瓷与金属连接性研究
136、SiC晶须增韧补强AIN材料的研究
137、AIN瓷TiN－Mo金属化方法研究
138、流延法制作AlN陶瓷基片工艺
139、空心阴极等离子烧结AlN陶瓷
140、Li_20对AlN陶瓷低温烧结的影响
141、新型电子陶瓷材料氮化铝工艺进展与应用前景
142、放电等离子烧结制备透明AlN陶瓷
143、氮化铝陶瓷的制造与应用
144、AlN陶瓷化学镀法金属化机理
145、一种新型氮化铝基复合材料的弹击损伤特征研究
146、AlN陶瓷在含氟里昂气氛中的热处理
147、利用熔盐热析出反应法对AlN陶瓷表面金属化研究
148、低温碳热还原法合成氮化铝陶瓷超细粉末
149、令人瞩目的氮化铝陶瓷材料
150、AIN_BN复合陶瓷的结构与性能
151、铝氮化铝电子陶瓷基板的制备及性能的研究